4 月 14 日消息，据外媒 thelec 报道，SK 海力士决定将今年资本支出计划（CAPEX）提高 30%，以应对业界对 HBM3E 产品需求的激增。此前 SK 海力士计划今年在扩展设施上的投资 22 万亿韩元（注：现汇率约合 1122.66 亿元人民币），但目前这一数字已经上调至 29 万亿韩元（现汇率约合 1479.87 亿元人民币）。　　据悉，这一决定已于近期敲定，SK 海力士目前已向供应商发出通知，要求相应供应商在 10 月之前将设备交付至位于韩国忠州的 M15X 工厂，比最初计划提前了两个月。所有这些举措据称都是为了加速该公司向英伟达等合作伙伴交付更多 HBM 产品。

　　根据 Counterpoint Research 的数据，SK 海力士在今年第一季度以 36% 的市场份额超越三星（34%），首次成为 DRAM 市场的头号供应商。

　　SK 海力士上个月表示，今年该公司的 HBM 生产能力已被预定完毕，并且已向客户提供了 HBM4 12H 样品。

　　目前，存储巨头正在加速推进 HBM4 竞赛。三星计划 2025 年实现 HBM4 量产，但其 10nm 1c DRAM 工艺尚未成熟，目标充满挑战。